技术编号:7944790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及电荷耦合器件(charge coupled device, CCD)型、金属氧 化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)型或者互补金属氧化物半导 体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)型固体摄像装置的 制造方法。更具体地说,本发明涉及一种,该固 体摄像装置采用空穴累积二极管(hole accumulation (accumulated) diode, HAD)结构作为用于防止可能在传感器部及其周边中产生的暗...
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