技术编号：7953941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器象素。背景技术 CMOS图像传感器(CIS)象素的设计有很多种结构，一般包括n个晶体管，每个晶体管实现不同的功能。CMOS图像传感器象素最常见的是3T和4T结构。3T即在象素中有三个晶体管，分别是复位管RST、源跟随器SF和行选通开关管SEL，如图1所示。而4T在3T的基础上增加了一个传输管TX，如图2所示。在每个象素中，都有一个光电二极管PD(如图1，图2所示)，用来将光信号转化成电信号，从而达到感光的目的。在图1和图2中，VDD表示电源。CMOS图...
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