技术编号：7975261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法。背景技术 一般而言，图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的半导体器件，并且主要分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和CMOS图像传感器。CCD具有多个光电二极管(PD)，这些光电二极管布置为矩阵的形式，以将光学信号转换为电信号。CCD包括多个垂直电荷耦合器件(VCCD)，这些垂直电荷耦合器件设置在垂直布置于矩阵中的光电二极管之间，从而当各个光电二极管产生电荷时，沿垂直方向传输这些电荷；多个水平电荷耦合器件(HCCD)，用于沿水平方向传输由...
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