Cmos图像传感器的制造方法技术资料下载

技术编号:7980911

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专利摘要本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体图像传感器,包括一像素阵列,该像素阵列包括多个像素单元,其中每一像素单元包括光电二极管和镜像电路。该光电二极管的阴极连接一电源,该光电二极管的阳极连接第一节点。该镜像电路包括第一晶体管和第二晶体管,该第一晶体管的栅极和漏极连接于该第一节点,该第一晶体管的源极接地;该第二晶体管的栅极连接该第一节点,该第二晶体管的漏极连接一第二节点,该第二晶体管的源极接地。其中该第二晶体管的尺寸大于该第一晶体管的尺寸。专利说明CMOS图像传感器技术领域[0001]本发明涉及半导体电路,尤其是...
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