技术编号:8006527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及激光晶体技术领域,特别是涉及氟化物系列激光晶体生长技术,是氟铝酸锂(LAF)系列晶体的软坩埚下降生长方法。LAF系列的晶体主要有CrLiSAF(CrLiSrAlF6,中文名称掺铬氟铝酸锶锂)、CrLiCAF(CrLiCaAlF6,中文名称掺铬氟铝酸钙锂)、CrLiCSAF(CrLiCaxSr1-xAlF6,中文名称掺铬氟铝酸锶钙锂)、CrLiSGF(CrLiSrGaF6,中文名称掺铬氟镓酸锶锂)等晶体。所谓软坩埚是指一种用耐高温、耐腐蚀的,高温延展性好的金属或合金薄片材料制作成的,用于晶体生长的容...
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