技术编号:8006627
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于材料科学与技术领域,涉及到晶体生长科学与技木,尤其是用低品位菱镁矿石生产高纯度(> 99. 99%)、大尺寸(> 2英寸)氧化镁(MgO)单晶的制备方法。背景技术氧化镁单晶具有优良的耐高低温特性(_270°C 2800°C)、高纯度(彡99. 95%)、抗腐蚀、极佳的绝缘性、良好导热性、良好的透光性(光波长200-2000nm时透过率为85、9%,光波长2. 5-7 μ m时透过率大于92%)等优良特性,在高温超导、半导体、红外感应器、激光器、超高温材料、窗ロ材料、航空航天、医疗器械、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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