技术编号：8006632
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种单晶硅炉用炭/炭复合材料坩埚的制备工艺。背景技术目前制备单晶硅采用的设备是直拉单晶硅炉，具体的生产过程是将高纯的多晶硅硅粉装在石英坩埚内，然后将石英坩埚放入有加热底托的石墨坩埚内，在单晶硅炉内，通入氢气或者氩气作为保护气体，将硅粉加热熔融，温度一般控制控制在1400°C -1700°C，通过导流筒将单晶硅的籽晶插入熔体内，籽晶牵引棒与坩埚做旋转反向运动，这样多晶硅粉的熔体中不断有晶粒析出，并按着籽晶原子的序列规则的排列在籽晶周围，随着牵引棒的向上提升生成单晶硅棒。由于石墨的坩埚的强度较差，一般...
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