技术编号:8006638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于太阳能电池领域,具体涉及到一种适用于选择性发射极晶体硅太阳电池的扩散方法。背景技术在太阳能电池领域中,所谓选择性发射极晶体硅太阳电池,即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂,在电极之间部位进行轻掺杂。这种结构可降低扩散层的复合,由此可提高光线的短波响应,同时又可以减少前金属电极与硅的接触电阻,使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善,从而提高光电转换效率。 对于选择性发射极晶体硅太阳电池来说,采用简单有效的扩散方式获得重掺杂区和浅掺杂区是工艺重点。目前采用印刷磷浆图形后再扩散已成为很...
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