技术编号:8006662
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及光伏电池领域 ,尤其是一种在铸锭坩埚底部设置杂质扩散阻挡层,来阻挡杂质向晶锭内的扩散,以此来提高铸锭单晶硅收率的方法。背景技术通过具有特定晶向的籽晶来诱导生长铸锭单晶硅是近年来在光伏硅电池领域得到了大幅应用的一种技术,已申请的相关专利有(I)专利US2007/0169685(A1)中提到采用〈100〉单晶硅作为籽晶来诱导生长铸锭单晶硅,认为该种工艺能明显减少或消除缺陷密度,得到晶粒至少大于IOcm的晶锭。(2)专利CN201010284738. 7中发明者提出将中心开孔的石英片置于坩埚底部,石英片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。