技术编号:8006665
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种生长III - V富镓固溶体外延材料的液相外延用熔体凝固的方法,特别是指超薄单层、量子阱、多量子阱和量子点等低维结构材料生长用富镓熔体,用该方法可以解决富镓熔体因熔点过低,在快速过冷的条件下室温不凝固的困难,可促进液相外延技术在富镓固溶体外延层方面的研究。背景技术金属Ga的熔点是29. 76°C,富Ga的GaAs固溶体的理论凝固温度是29. 5°C。采用液相外延技术生长薄膜或者低唯结构材料,都是外延层生长结束后,推开加热炉,在室温下熔源急剧冷却,由于过快的降温速率(1(T20°C)致使凝固点很...
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