技术编号：8009871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种按照切克劳斯基(Czochralski)单晶生长法(CZ)法制造大直径硅单晶的装置。在大规模集成电路(LSI)的领域中，人们对硅单晶直径的要求逐年增加。现在，在最新式的装置中已经在使用6英寸直径的硅单晶。据说将来可能有必要使用直径为10英寸或更大的，例如12英寸的硅单晶。按照切克劳斯基单晶生长法，硅单晶的制造方法可分为两种一种是坩埚旋转的方法，另一种是坩埚不旋转的方法。现在，在大规模集成电路领域中所采用的制造硅单晶的CZ法，全部都是使坩埚与硅单晶按照相反的方向旋转，同时，在坩埚的周围安装有电阻...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。