技术编号:8010099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明的技术方案涉及以材料为特征的单晶生长领域,具体为。背景技术 铌酸锂晶体可应用于非挥发全息存储领域。在纯铌酸锂晶体中,利用小极化子进行非挥发全息存储,要求存储光强比较大,不易得到高的存储灵敏度。文献(H.Hatano,T.Yamaji,K.Kitamura,S.Takekawa,and M.Nakamura,“Holographic recording mediumand holographic recording/reproducing apparatus using the same”,U.S.Pa...
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