技术编号:8011552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及金属晶体的生长方法和装置,尤其涉及金属双晶和三晶的Brdgman方法生长以及所用坩埚。单晶体是众所周知的一种固体材料,其优于多晶材料的功能和性质在众多领域中得到应用,尤其在尖端科学及前沿学科的应用更为广泛。然而,单晶体无论在制备技术还是在实际应用领域都有一定的困难,而且价格昂贵。多晶材料,人们在现实生活中随处可见,但是由于混乱晶界及其它缺陷的存在,影响了材料的技术指标和物化性能,1985年法国(C.Rey,P.Mussot,A.M.VrouxandA.Zaoui,J.Physique46(1985...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。