技术编号:8011598
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及通过改变会切磁场(cuspmagneticfield)和改变晶体及坩埚转速相组合,控制丘克拉斯基法拉出的硅晶棒中氧的浓度和分布的方法。从容器中盛放的熔融液体中生长晶体时,容器的构成材料部分地溶解在熔融液体中,进而迁移到产品晶体中成为杂质。在硅的熔化温度(大约1420℃)下,与熔体接触的二氧化硅(SiO2)坩埚表面溶解。部分溶解的二氧化硅以SiO(一氧化硅)形式自熔体表面挥发,另一部分溶解的二氧化硅进入生长着的晶体中,其余的溶解二氧化硅滞留在熔融的硅中。因此,用来盛装硅熔体的二氧化硅坩埚就成为在用常...
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