技术编号：8013850
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种通过由粒状材料的熔体的结晶固化时膨胀的半导体棒材或块材的方法，以及实现此方法的设备。单晶或多晶硅棒或硅块通常是由克祖克拉尔斯基(Czoch ralski)坩锅拉伸法、无坩锅的区域拉伸法，或铸造法生产，在铸造法中，硅熔体被注入石英或石墨模具中进行受控固化。区域拉伸法需要用在精密监测条件下进行缓和气相沉积过程生产的多晶坯棒。尽管用于坩锅拉伸法或铸造法的起始材料可为相比之下耗力较小的沉积的多晶硅片，但所用的坩锅或模具可能造成污染和附加费用。德国专利DE-A2925079或相应的美国专利U5A-4，3...
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