技术编号:8013876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用高压电脉冲在室温下处理单畴LT(LiTaO3)、掺杂LN(LiNbO3)晶体,制备微米尺度周期铁电畴结构材料的方法以及这种材料在激光频率转换方面的应用。现有人工设计的具有特定周期电畴的LN晶体材料可在提拉法生长过程中,引入周期性微控制成畴的取向而制得;或将单畴C切LN,LT晶体放入焦磷酸中进行选择性质子交换、随后快速退火(PE+OHT),在晶片表层形成周期性电畴反转。上述工艺或是成本高成品率低,或是只能对晶体表面进行处理,只适于做波导器件。最近,有报道用高电压短周期、多脉冲处理单畴LN晶片制作周...
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