用于镇流电路的金属氧化物半导体栅控驱动器的制作方法技术资料下载

技术编号:8014888

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技术领域本发明涉及用于MOS选通装置的栅控驱动电路,更具体地涉及,特别是用于灯镇流电路中的那些MOS选通电路装置的单片栅控驱动电路。气体放电电路用的电子镇流器由于可用功率MOSFET开关装置去替代先前所用功率双极型晶体管装置现正得到广泛应用。对于由LC串联谐振电路构成的气体放电管电路,其中一个或多个灯连接在L-C电路的电抗之一两端,大部分电子镇流器采用以推挽(半桥)布局技术的两个功率MOSFET开关。于是通过来自一个电流互感器的二次绕组的输入信号交替导通驱动功率MOSFET开关,而互感器的一次绕组传送灯电路的电流。...
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