技术编号：8016367
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明一般涉及用于利用化学汽相沉积法将材料沉积在半导体晶片上的桶式反应器，更具体地涉及一种从桶式反应器的喷口空腔清洗去反应气体的方法和装置。桶式反应器用于在半导体晶片上沉积外延层。外延是一种在半导体晶片上生长材料薄层使晶格结构与晶片的晶格结构相同的方法。利用该方法，在半导体晶片上施加一个导电率不同的薄层，以获得必要的电学性能。例如，在重掺杂的衬底(基底)上生长的轻掺杂的外延层使一个CMOS器件得到优化，以便闭锁由于衬底电阻低而引起的不敏感性。同时获得其它优点，如精确控制掺杂浓度分布和除去氧。通常，化学汽相沉...
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