技术编号：8016676
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种阴极弧等离子体源，特别是一种磁偏滤导管式阴极弧等离子体源。在现有的应用金属等离子体源对材料表面改性及制备特种功能膜技术中，如美国专利US 5,013,578是直接把放在真空室内的两套金属蒸汽真空弧等离子体源对准基体做表面涂层。显然，弧等离子体中的宏观杂质粒子或原子团不可避免地将在精细膜上形成庇点，这在制备特种功能涂层，如半导体加工等时是不应该出现的。本实用新型的目的是提供一种能滤除掉等离子体中重的杂质粒子或原子团的等离子体源。为实现上述发明目的，本实用新型在阳极的等离子体出口处与靶室间设置...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。