技术编号:8017528
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明总体上涉及一种用于处理集成电路层的等离子体辅助方法。更具体地说,本发明涉及一种用于处理集成电路层的等离子体辅助方法,等离子体辅助方法在集成电路层上限制了污染粒子沉积。在集成电路制造技术中已知使用射频等离子体激发来产生辅助处理集成电路层的反应和非反应等离子体。辅助处理集成电路层的等离子体可用于许多集成电路层制造工艺中。等离子体可用在包括但不限于集成电路层形成过程、集成电路层除去过程和集成电路层修整过程的集成电路层制造过程中。通过射频等离子体辅助制造的集成电路层的类型包括但不限于集成电路导体层、集成电路绝...
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