技术编号:8018755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型属于晶体生长领域,涉及自气化合物的单晶薄膜生长,特别是一种有关装置构造改进的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置。有机化合物气相沉积技术(Metal Organic Chemical Vapor Deposition),简称MOCVD,也称MOVPE。所谓MOCVD,就是在室温下,将金属有机化合物等源物质用载气输运至反应室内,并在反应室中被加热的衬底上发生反应,从而在衬底上进行化学外延的过程。一般来就,常见的MOCVD设备主要有如下几部分组成(参见文献M.J.Ludowise,“Metalorg...
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