技术编号：8019402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及特别适合用于形成在绝缘体上的半导体层的半导体材料，例如制造使用该半导体层的器件。在MOSLSI领域中，目前正在积极地开发关于SOI(绝缘体上的硅)的技术来符合使用较低的源电压的要求。迄今为止，已提出了各种不同的用于制造SOI衬底的方法，一些方法已付诸实践。目前的用于制造SOI衬底的典型方法包括SIMOX工艺和键合工艺，但所有这些方法都涉及下述问题难以在60nm以下均匀地控制硅(Si)膜的厚度和制造衬底的成本较高，这些问题妨碍了SOI衬底更广泛的实际应用。另一方面，可通过使用键合工艺在各种不同的诸如...
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