技术编号:8022122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制造用于制备基本上没有晶体空隙缺陷的单晶硅材料的石英坩埚的方法。更进一步地说,本发明涉及制造含有非常少量的不溶于液态硅中的气体的石英坩埚。在制备通过提拉法生长的单晶硅晶体的过程中,首先在石英坩埚中将多晶硅熔化。在多晶硅熔化并且温度平衡以后,将晶种浸入熔体中并且在将坩埚旋转的同时进行提拉,由此形成单晶硅锭。在生产和处理坩埚过程中,高质量的石英玻璃是半导体技术中不可或缺的材料,这是因为其纯度、温度稳定性和化学稳定性。但是由于在非常高温度的、带攻击性的硅熔体和石英坩埚壁之间的直接接触,来自坩埚的杂质...
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