技术编号：8022157
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种在等离子体中产生激活/离子化粒子的装置。集成电路，特别是存储器芯片或微处理器是采用许多工艺步骤制成的。这些电路的制造成本是由工艺的复杂性以及物理上的加工时间确定的。高度复杂的器件经常需要数百个工艺步骤以及产品整个工艺过程需要许多天的时间。这些工艺步骤的一部分是有针对性地在半导体表面上淀积材料或有针对性地除掉材料。这里需使用蚀刻或淀积技术，还包括掩模和掺杂技术等基础工艺，这些工艺在制造高集成度电路的工艺步骤中，经常需要在半导体材料上反复使用(参见《高集成度电路工艺》，D.Widmann，H.Ma...
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