技术编号:8022242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明的工艺一般涉及外延硅片的制备。本发明尤其涉及安放在一个硅片盒、硅片舟或其他载体上的一组外延硅片的制备,每片硅片都具有一个外延层,基本上不含由于外延层生长的衬底表面上存在聚集硅自—填隙缺陷而引起的生长缺陷。可以由它得到单晶硅片的单晶硅通常采用所谓提拉“Czochralski”(“Cz”)方法制备。在这个方法中,将多晶体硅(“多晶硅”)装入一个坩埚并被熔化,用一根籽晶与熔融硅液接触,通过缓慢提拉籽晶而生长单晶体。当颈部形成后,通过降低拉制速度和/或熔融温度使晶体直径放大,直达到所需的目标直径。然后通过控制...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。