技术编号：8022296
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及在半导体基板等固体试样的表面掺杂(添加)杂质的及实施该方法的装置。背景技术 在固体试样的表面掺杂杂质的技术，例如有U.S专利4912065号揭示的将杂质离子化以低能量掺杂到固体中的。以下，参照图14说明以往的作为杂质掺杂的方法的。图14是以往的等离子体掺杂法所采用的等离子体掺杂装置的基本结构。图14中，在真空容器100内设置了用于放置硅基板等试样109的试样电极106。在真空容器100的外部设置用于供给含有所要元素的掺杂原料气体，例如B2H6的供气装置102及将真空容器100内的内部减压的泵103...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。