技术编号：8022616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明提供一种原子芯片用原子束制备、运输和加载装置，特别是一种为原子芯片提供和加载最优弱场搜寻态、纵向速度低且分布均匀、横向速度几乎为零、密度高的原子束的发生方法及其装置。背景技术 目前，在原子芯片中采用的原子束发生方法主要有两种热原子束和超冷原子束(即玻色-爱因斯坦凝聚体)。热原子束一般是直接对原子源进行加热，形成原子蒸汽束从喷口中喷出，利用和原子蒸汽束速度方向相对的一束激光对其进行减速，然后通过镜面磁光阱(Mirror MOT)加载到芯片表面，如文献1J.Denschlag，D.Cassettari，A...
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