技术编号：8022877
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及到对硅之类的单晶与熔液之间固液界面形状以及单晶中点缺陷的分布的计算机模拟方法，所述单晶用切克劳斯基(以下称为CZ)方法拉制。作为这样一种模拟，如图7所示，已知一种常规方法，它借助于在用CZ方法拉制硅单晶4时，使用总体热传导模拟器，根据提拉装置1中的热区结构和硅单晶4的提拉速度而控制硅熔液2的导热性，来估计硅熔液2的内部温度分布，并利用计算机，从这一内部温度分布获得硅单晶4与硅熔液2之间的固液界面的形状。还已知有另一种常规方法，用来从所述硅熔液2的内部温度分布获得硅单晶4的各个网格的坐标和温度，然后...
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