技术编号：8024411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及微电子制造方法和装置，具体地涉及硅锭的制造方法，以及籍此制造的硅锭和晶片。背景技术 作为制造半导体器件起始材料的单晶硅通过被称之为Czochralski(CZ)技术(直拉技术)的晶体生长技术生长成圆柱锭。单晶硅锭通过诸如切片、刻蚀、清洗、抛光等的一系列晶圆加工工艺而被加工成晶圆。根据CZ技术，单晶硅的籽晶被浸入熔融硅中，并向上拉，于是熔融硅通过缓慢的提拉而生长成单晶锭。熔融硅装在石英坩埚内，并被多种杂质污染，其中一种是氧。在硅的熔融温度下，氧渗入晶格，直到其达到一预定浓度，该浓度一般由硅熔融温度下...
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