技术编号：8027779
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及电子领域，特别是涉及一种单板。背景技术由于电子设备上的单板具有很多高频晶振电路和时钟电路，并且随着电子设备传输信号速率的不断提高，导致单板产生的高频电流干扰不断增大。若不对单板的高频电流干扰进行抑制，则将引起对外部线路及外部设备的电磁干扰(EMI)。为了解决上述的电磁干扰问题，进行良好的单板接地处理是抑制EMI辐射水平的一种有效途径。目前，现有技术采用磁珠将保护地(PGND)与工作地(GND)进行短接，来抑制EMI辐射水平。但是抑制效果较差。因为所述的磁珠是由铁氧体构成的磁性有耗器件，其具有频...
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