一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟的制作方法技术资料下载

技术编号:8029100

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技术领域本实用新型涉及一种多晶体生产工艺中载片用装置,特别是一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟。背景技术随着集成电路工艺的不断发展,硅片的背面生长多晶完成硅片背面的外吸杂的工艺(背封工序)是目前使用最多的工艺方法,这种硅片的加工量不断增加,其收率问题是决定产品价格的主要因素之一。在影响收率的各种因素当中,崩边的影响最大,如何减少产生崩边,获得高收率是每个生产厂家共同关心的课题。产生硅片崩边的因素很多,由于石英舟的几何形状与硅片的边缘配合得不好而引起的崩边是形成崩边的主要因素。如果硅片与石英舟的接触是线接触,也就是硅...
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