技术编号：8029806
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于减小对表面波等离子体(SWP)源和等离子体的损伤的方法和装置，更具体而言涉及用于防止对SWP源造成等离子体损伤的方法和装置。背景技术 一般来说，在半导体处理期间，(干法)等离子体刻蚀工艺被用于去除或刻蚀沿着精细线的材料或者在图案化在半导体衬底上的过孔或触点内的材料。等离子体刻蚀工艺通常包括将具有上覆的、图案化的保护层(例如光刻胶层)的半导体衬底定位在处理室中。一旦衬底被定位在室中，可离子化的、离解的气体混合物就被以预先指定的流率引入到室中，同时真空泵被节流以获得环境处理压强。其后，当所存在的气...
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