技术编号：8030300
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种对半导体元件、搭载半导体芯片的基板、布线基板、 平板型显示装置基板等电子装置的基板或被处理物实施等离子处理的方 法及其处理装置、利用该等离子处理制造电子装置的制造方法。背景技术以往，在利用等离子对硅半导体等被处理物表面进行氧化、氮化、氧 氮化，或在被处理物表面上形成氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、聚硅膜、有机EL膜等，或蚀刻被处理表面之际的等离子处理中，利用单一的稀有气 体产生等离子。作为稀有气体，为了减小对被处理物的等离子损伤，从而 采用与电子的碰撞截面积大、等离子的电子温度低的氪(Kr)气和氙(...
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