技术编号:8030614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种硅单晶的生产方法,特别涉及一种。背景技术目前采用直拉法或区熔法生产的硅单晶,由于氧含量高而容易引起电阻率热不稳定性和可逆性,由此造成直拉硅单晶在功率器件制造过程中的局限性。区熔法生产的硅单晶,虽然能降低氧的含量,但是其只能采用中子辐照的方式对单晶进行掺杂,这样生产周期长,生产成本高,且受到中子辐照资源短缺的制约。本发明是在专利号为02159135.0、名称同样为《》的专利(与本发明为同一申请人)的基础上进行补充及改进。经技术人员多次试验,尤其在抽空充气、掺杂及等径生长工艺中,其使用炉膛压力的大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。