技术编号:8031050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于非氧化物单晶制备技术领域,特别涉及。背景技术碲化镉(CdTe)单晶作为一种半导体材料,在室温X射线、γ射线探测器、电子光学调节器和太阳能电池等方面有着广泛的应用。如何实现工艺简单、低成本、且能大量生产的制备方法是首先面临的问题。荷兰的《晶体生长杂志》(Journal of Crystal Growth,1989年第98卷595-609页和1994年第138卷168-174页)报导了采用移动加热法(Traveling HeaterMethod,简称THM)从富含Te的溶液源中制备II-VI半导体材料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。