技术编号：8031202
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于中子散射技术，具体涉及一种制备锗垂直聚焦中子单色器所用的 锗单晶的热压形变装置。背景技术锗晶体垂直聚焦中子单色器是中子散射谱仪的核心部件之一，在垂直方向的 实空间聚焦效果可以成倍提高在中子散射谱仪样品位置处的单色中子束强度，并 且几乎不会影响中子散射的分辨，在提高反应堆中子源和中子谱仪的利用效率方 面是一种经济且效果明显的技术手段。锗晶体垂直聚焦中子单色器需要使用各向 异性的锗嵌镶晶体，它在散射平面的嵌镶宽度大，并且侧向均匀分布，以匹配入 射束在散射平面的发散获得足够的积分强度，在与散射平面垂直的...
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