技术编号:8031431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及发光装置及其制造方法。背景技术 长期以来一直需求能在兰光区产生短波放射的高亮度发光装置,这种发光装置近来已应用AlGaInN基材料实现。通过将这种装置与红和绿高亮度发光装置相组合,在将它应用于全色发光设备或显示设备方面也取得迅速进展。然而,应用AlGaInN基材料必然提高了成本,因为该材料含有主要元素Ga与In,二者均为相对稀有的金属。该材料的其它主要问题之一是其生长温度高达700~1000℃,生产时要耗用相当大的能量,这不仅在降低成本方面不可取,而且也不希望违背正在流行的节能和抑制全球变暖的潮流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。