技术编号:8032097
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明一般涉及到改进用来制造电子元件的单晶半导体生长工艺的控制,确切地说,涉及到切克劳斯基晶体生长工艺中精确控制锥体生长的一种闭环方法与系统。在形成晶体细颈后,典型的工艺用降低拉速和/或熔体温度来增大生长晶体的直径,直至达到所要的直径。在补偿熔体液面降低时控制拉速和熔体温度,使得生长的晶体主体具有近似恒定的直径(即,一般为圆柱状)。在接近生长工艺终了但坩埚中的熔硅尚未用尽之前,工艺过程使晶体直径逐渐减小而形成尾锥。典型地,尾锥是由增加晶体拉速和坩埚供热而形成的。当直径变得足够小时,晶体则与熔硅分离。在生长过...
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