技术编号：8032296
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及p型ZnO晶体薄膜的生长方法，尤其是Na掺杂生长p型ZnO晶 体薄膜的方法。技术背景ZnO做为宽禁带半导体，有着其独特的优势，在室温下的能带宽度为3.37eV， 激子结合能为60 meV，远大于GaN的激子结合能25 meV和室温分子热运动能 26 meV,因此很有潜力实现高功率的半导体激光器件。但是，ZnO走向光电器 件应用的重要一步就是实现稳定的p型ZnO薄膜。ZnO由于各种本征缺陷，如 Zni，Zn。，和非故意掺杂缺陷，如Hi，表现为n型。在ZnO中掺入受主杂质会提 高系统的Madelung...
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