技术编号:8032980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及如权利要求1所述的碳化硅晶体的生长系统。针对在非常高的温度(高于1800℃)下生长质量适于在微电子工业中使用的碳化硅晶体,过去有多种提议。首次和基本的提议由Nisshin Steel在1992年提出,它公开在欧洲专利EP554047中。Nisshin Steel的概念保证含硅和碳的反应气体一起混合,保证该气体混合物在高温下进入反应腔室,和保证混合的硅和碳在基底上沉积,从而使晶体生长。Nisshin Steel的实施装置实例提供在中间温度下的预备腔室,其中在所述腔室内形成固体碳化硅颗粒。该概念在19...
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