技术编号：8033240
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及远紫外线光刻技术，尤其是用于集成电路制造的远紫外线光刻。为了对未来集成电路等目标进行光刻操作，涂敷有光阻剂的目标选定区域置于可见光或者紫外线辐射源中。这种辐射使上述区域曝光，从而得到目标的局部蚀刻特性。作为一般规律，蚀刻特性越精密，则辐射的波长就越短。文档EP-1222 842提出一种远紫外线辐射源(在下文中称为EUV)及其在光刻中的应用。辐射的波长范围从8纳米左右到25纳米左右，可获得具有通常小于100纳米的精度的蚀刻特性。辐射来源于等离子体，其为在该处激光束和包括微米大小的氙和/或水滴的薄雾进...
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