技术编号：8033343
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及制作晶格调制(lattice-tuning)半导体基片，尤其但是并非仅涉及制作驰豫SiGe(硅储)“虚拟基片”，该驰豫SiGe“虚拟基片”适于生长其中可制作诸如MOSFET之类的有源半导体器件的应变硅或SiGe活化层和无应变III-V半导体活化层。背景技术 已知可通过在Si晶片上外延生长应变硅层，该硅晶片具有插入在硅晶片和应变硅层之间的驰豫SiGe缓冲层，以便在应变Si层内制作诸如MOSFET之等的半导体器件，从而提高半导体器件的性能。由于提供缓冲层的目的在于增大与下层Si基片的晶格单元长度相关的...
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