技术编号:8033952
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及离子化物理蒸汽沉积(IPVD),更特别的是涉及在半导体晶片片基上沉积薄膜(最特别的是金属薄膜)的方法和装置,办法是从某个靶溅射镀膜材料、将该溅射的材料离子化、然后将该离子化镀膜材料引导到该片基表面。背景技术离子化物理蒸汽沉积是一个在充填和衬镀硅晶片表面上高长宽比结构方面具有特别效果的过程。在IPVD中,为了在半导体晶片上沉积薄镀膜,可从某个源溅射或者蒸发要被沉积的材料,然后该被蒸发材料的主要部分在到达将要被镀膜的晶片之前被转变为正离子。这一离子化过程由某个真空室内的某种工艺气体内产生的一个高密度等...
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