技术编号:8033984
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种锆钛锡酸铅镧单晶的生长方法,尤其涉及一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧铁电和反铁电单晶的方法,属于晶体生长技术领域。背景技术 复合钙钛矿结构锆钛锡酸铅镧弛豫反铁电材料在外场的作用下极易发生反铁电—铁电的结构相变,由此而引发包括大电致伸缩、高介电常数等在内的一系列优异的物理性能,在多层电容器、超声换能器、微位移致动器和智能材料等领域有着广泛的应用前景。目前有关锆钛锡酸铅镧材料的研究只局限在钙钛矿相的合成[Lee J H,Chiang Y M.Pyrochlore-perovskite phase...
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