技术编号：8033994
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种硅单晶制备方法，特别涉及一种用于生产大功率、高电压、大电流半导体器件的。背景技术 作为半导体硅材料之一的区熔硅单晶，主要是用于半导体功率器件、功率集成器件及半导体集成电路的主体功能材料。随着微电子工业的飞速发展，半导体工业对硅材料也提出了更新、更高的要求。半导体器件厂家随着生产规模的扩大，出于提高生产率、降低成本、增加利润的目的，都逐步要求增大硅片直径。多年来，晶体的大直径化一直是半导体器件制备业和半导体材料制备业永恒的追求目标。众所周知，利用3″以下小直径区熔硅单晶传统的制备方法，制备3″以...
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