技术编号：8034005
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体材料，特别是一种。背景技术 硅单晶是电子工业的功能材料，其应用范围、生产规模都是其它半导体材料所不能比拟的。在硅中掺入某种杂质可以改变硅单晶的某种性质，比如掺磷砷可使硅单晶具有电子导电性质，掺硼可使它具有空穴导电性质。掺氮可以提高区熔硅单晶的机械强度。硅中掺锗属于等价掺杂，它并不改变单晶的导电性质，又因硅、锗在晶体中的共价半径相近(硅为1.07埃，锗为1.22埃)造成的晶格失配很小，因此对硅单晶晶格的完整性影响不大。近期研究表明硅中掺锗在抑制点缺陷、雾状缺陷和吸杂方面都有很好的效果。在提高单...
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