技术编号:8034038
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种利用水热技术制备高光致发光效率半导体碲化镉(CdTe)纳米晶的方法,特别是涉及一种由谷胱甘肽(GSH)作稳定剂合成水溶性CdTe纳米晶前体水溶液,CdTe纳米晶前体在较低温度的温和条件下快速生长,从而合成出尺度均一、高发光效率CdTe纳米晶的方法。背景技术 CdTe纳米晶是一种高发光量子产率的半导体材料。,特别是水溶性高发光强度的半导体纳米晶在光子学器件、激光器、生物技术,特别在生物荧光标记方面得到了广泛的应用。发光纳米晶和传统的有机荧光染料相比,具有独特的物理和化学性质。首先,由于纳米尺度的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。