技术编号：8034589
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及集成电路制造过程中的薄膜沉积工艺，具体涉及 一 种 用以控制薄膜应力于稳定范围之内的方法。背景技术在集成电路制造工艺中，膜沉积是常见的技术，通常在硅晶片基材上通过物理气相沉积(PVD),化学气相沉积(CVD)等沉积方法形成 硅基材上具有多层不同材料的结构，此过程中还结合光刻、蚀刻等 工艺使各层膜具有一定的图案结构，最终形成完整的半导体器件。 常用的上述薄膜材料有氮化硅(Si2N3), 二氧化硅(Si02),金属铝、钨 等.薄膜应力是所述薄膜材料的关键参数，应当控制在稳定的范围， 否则将直接影响产品...
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