技术编号:8034914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种采用粉末原料直接装埚、入炉并在坩埚下降生长晶体的过程中,持续升温生长优质大尺寸二氧化碲单晶体技术。属于晶体生长领域。背景技术 现有的二氧化碲单晶体的生长方法之一是提拉法。由于二氧化碲单晶的熔化温度为733℃,具有较强的挥发性。其挥发物具有毒性,为不使其挥发,在提拉过程中,需加十个以上大气压的惰性气体。需要采用加压单晶炉。二氧化碲单晶体有多个解理面,用提拉法只能沿[110]和[100]方向提拉圆柱状晶体。不仅对生长炉设备要求较高,且受提拉方向和切形的限制,生长的晶体利用率低,尺寸不能满足制作相关...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。