技术编号:8035751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种直拉法制备硅单晶所用的硅籽晶。 背景技术当前制备单晶硅主要由两种技术,根据晶体生长方式不同,可以分为区熔单晶硅 和直拉单晶硅。区熔单晶硅是利用悬浮区域熔炼(float zone)的方法制备的,所以又称为 FZ单晶硅。直拉单晶硅是利用切氏法(czochralski)制备,称为CZ单晶硅。这两种单晶硅 具有不同的特性和不同的器件应用领域,区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面,只占市 场很小的一部分,而直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面,是单晶硅 的主体。直拉法是运用熔体的冷凝结晶...
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